Ist schon ьber drei Dutzenden der Jahre nach dem Erscheinen des ersten Mikroprozessors gegangen. Mit jedem Jahr werden diese Elemente allen komplizierter sein. Dabei nimmt die Zahl der Transistoren, die bildend ihre Grundlage und die Rechenmacht bestimmen, nach eksponentsial'nomu dem Gesetz zu. Diese GrцЯe wird vom bekannten Gesetz der Quatsch, das die regelmдЯige Doppelbildung der Zahl der Transistoren in den Computerkomponenten voraussagt gut beschrieben.

Die VergrцЯerung der Funktionalitдt der Computerkomponenten, einschlieЯlich die GrцЯe ihrer Macht, hдngt von ihnen arhitektur in bedeutendem Grade ab, deren Realisierung sich vom erreichten Niveau der Technologien klдrt.

Gerade die Entwicklung der elektronischen Technologien, strebend, mit den immer mehr winzigen Elementen zu operieren, lдsst die ganze Zeit zu, ihre Zahl anzusetzen, den Konstrukteuren die, Mцglichkeit gewдhrleistend der Architektur der erstellten Erzeugnisse zu komplizieren.

Dabei muss man anerkennen, dass jedes erreichte Niveau der Technologie die Grenze, die die Zahl der elementaren Transistoren beschrдnkt hat. Wirklich, die GrцЯe der Umfдnge der Kristalle fьhrt zur GrцЯe ihres Preises, und die VergrцЯerung der Dichte ist wie von den Umfдngen der Elemente, als auch den Problemen teploobrazovanija beschrдnkt.

Das ganze Obenernannte verhдlt sich zu allen Erzeugnissen, aber besonders stark wird fьr die Prozessoren der Rechner gezeigt.

Man muss bemerken, dass die Annдherung zur technologischen Grenze zur niedrigen Abmeldung der brauchbaren Kristalle und entsprechend zur GrцЯe der Selbstkosten fьr die дlteren Modelle bringt. Je nach der GrцЯe der Rechenmacht der Prozessoren, ihres Energieverbrauchs und, wie sich die Untersuchung, die VergrцЯerungen teploobrazovanija, die Probleme der Aufrechterhaltung der optimalen Temperaturregimes ihrer Arbeiten, die die kritischen Werte gerade unweit der technologischen Grenzen erreichen verschдrfen. Das alles hдlt die weitere Entwicklung der Architektur der Prozessoren und der GrцЯe ihrer Macht zurьck.

Obwohl der technologische Prozess 0,13 mkm bei weitem von allen Firmen, die die oberen Zeilen der Ratings einnehmen angeeignet ist, bereitet sich die Industrie schon auf die nдchsten Grenzen aktiv vor. Solche folgende Etappe ist die Technologie 0,09 mkm (90 nm).

Hier ist nцtig es zu erinnern, dass auf diesem Pfad viele Problem existieren.

Es ist offenbar, dass mit der Verkleinerung der Entfernungen zwischen den Elementen und den Interverbinden in den Kristallen der Prozessoren das Niveau der elektromagnetischen Stцrungen zunimmt, es wachsen die Strцme des AusflieЯens, es wдchst die thermische Belastung auf die Orte und die abgesonderten Elemente, die die Grundlage der Kerne bilden. Dabei muss man bemerken, dass sich die Umfдnge, mit denen die Hersteller operieren, jenen Schwellen, wo sich die Quanteneffekte, die die Prozesse der Projektierung komplizieren immer mehr auswirken, der Produktion und der Ausbeutung schnell nдhern.

Nichtsdestoweniger, die Probleme und die Schwierigkeiten, die vor den Konstrukteuren entstehen, halten den ingenieurmдssigen Gedanken nicht an. Daraufhin erscheinen die neuen Technologien und die perspektivischen Erzeugnisse.

Die Forscher der Gesellschaft Intel haben am meisten klein in der Welt die Zelle des Gedдchtnisses des Standards SRAM (Static Random Access Memory — das statische Gedдchtnis mit einem willkьrlichen Abruf) erstellt . Die Flдche dieser Zelle des Gedдchtnisses bildet nur 1 quadratisches Mikrometer.

Die Abb. 2. Am meisten klein in der Welt die Zelle des Gedдchtnisses des Standards SRAM

Jede solche Zelle stellt die strukturelle Komponente des integrierten Schaltkreises des Gedдchtnisses dar und ist Teil polnofunktsional'noj des integrierten Schaltkreises des Gedдchtnisses SRAM in der Kapazitдt 52 Mbit.

Die erstellten integrierten Schaltkreise verhalten sich zur Zahl der umfangreichsten der irgendwann erstellten integrierten Schaltkreise des Gedдchtnisses des Standards SRAM, in jeder von denen ist auf 330 Mio. der Transistoren, die auf der Flдchen 109 quadratischer Millimeter gelegen sind enthalten.

Die Abb. 3. Den Kristall des umfangreichsten der irgendwann erstellten integrierten Schaltkreise des Gedдchtnisses des Standards SRAM

Ьbrigens ist weniger die Flдche des Kristalls des erstellten integrierten Schaltkreises des Gedдchtnisses, als zum Beispiel bei desjatitsentovoj der Mьnze.

Die Abb. 4. Den Kristall des integrierten Schaltkreises des Gedдchtnisses SRAM

Neu 52.мегабитные waren die integrierten Schaltkreise des Gedдchtnisses des Standards SRAM in der experimentalen Fabrik D1C der Gesellschaft Intel nach dem ProduktionsausstoЯ auf den 300.-millimeterlangen Unterlagen in Hillsboro, den Bundesstaat Oregon, mit der Nutzung der Kombination fьhrend litograficheskih der Tools 193 und 248 nm nach entwickelt von den Fachkrдften Intel 90.нанометровой der Technologie erstellt.

Man muss bemerken, dass die Produktion der integrierten Schaltkreise des Gedдchtnisses des Standards SRAM in die Zweige fьr die Prьfung der neuen Technologien traditionell verwendet wird. Dabei spielt der kleine Umfang der Zelle des Gedдchtnisses die auЯerordentlich wichtige Rolle. Es handelt sich darum, dass die дhnlichen Elemente im Bestande von den Prozessoren im Bestande vom Cachespeicher der Prozessoren verwendet werden.

So wird die neue Entwicklung der Ingenieure Intel zulassen, die Produktivitдt der Prozessoren zu vergrцssern.

Die vorliegende Entwicklung ist ein wichtiger Schritt auf die Pfade der Masseneinfьhrung der neuen Produktionstechnologie in 2003, vorbestimmt schon in nдchster Zukunft, die Vorgдnger — die Technologie 0,18 und 0,13 mkm zu ersetzen   .

Die Evolution der technologischen Prozesse

Folgt, dass die Gesellschaft Intel namerena zu erinnern, 90.нанометровую die Technologie in die Massenproduktion im Laufe des folgenden Jahres einzufьhren, dadurch wieder einmal in der Praxis die geltenden schon 12 Jahre das Gesetz des Ьbergangs auf die Technologie der neuen Generation jeder zwei Jahre bestдtigt. Nach der neuen Technologie wird die Gesellschaft die Mehrheit der Produktion, einschlieЯlich die Prozessoren, die Sдtze der integrierten Schaltkreise und die Kommunikationsausrьstung erzeugen. Die Produktion wird nach der vorliegenden Technologie ausschlieЯlich auf den 300.-millimeterlangen Unterlagen erzeugt werden, die Arbeit mit denen ist im Laufe der Aneignung des vorhergehenden Prozesses 0,13 mkm (130 nm) angeeignet  .

Von den ersten Erzeugnissen, die nach der Technologien 90 nm ausgegeben sind, werden die Prozessoren Prescott, die auf IDF Spring 2002 erklдrt sind. Wie es erwartet wird, kцnnen die Chips Prescott evoljutsionirovat' bis zu den Taktfrequenzen 5-6 GGts. Die japanischen Quellen besprechen die Mцglichkeiten des Erscheinens und der Nutzung der Variante Mobile Prescott ernsthaft. Ist es mit dem erwarteten genьgend niedrigen Energieverbrauch Prozessoren, die nach der Technologien 90 nm erstellt sind verbunden .

Doch, die Errungenschaften der Fachkrдfte Intel beschreibend, muss man der Gerechtigkeit wegen bemerken, dass die Plдne der beschleunigten Einfьhrung der perspektivischen Prozesse auch andere grosse Firmen erklдrt haben.

Die Gesellschaften IBM Corp., Toshiba Corp., Sony Corp. Und Sony Computer Entertainment Inc. Haben den Anfang der gemeinsamen Entwicklung tehprotsessov 90 nm und 45 nm erklдrt. Auf es der Gesellschaft namereny, "etwas Wabe Millionen Dollars auszugeben". Und, obwohl nach den frьher existierenden Daten UMC im Begriff war, die Massenausgabe 0,13 mkm nur im Sommer zu beginnen , im Internet sind die Mitteilungen von den Plдnen dieser Firma erschienen, die Ausgabe zu Ende des Jahres Chips, die nach der Technologien 90 nm erstellt sind zu beginnen .

Allem Anschein nach wird 2002 Braten.

Zu razrelu die Mutterleiterplatten und chipsety ьberzugehen