Kьnftig der Computertechnik
(Die Fortsetzung)

Darauf und anderen negativen Effekten schon sind die Ingenieure beim Ьbergang zur Technologie 90 nm zusammengestoЯen . Wirklich, in den neuen Erzeugnissen, die nach dieser Technologie erstellt sind, werden am meisten klein in der Welt die Transistoren KMOP (CMOS) mit der Lдnge zatvora 50 nm, einschlieЯlich den Beitrag des Tunneleffektes verwendet ,

Die Fachkrдfte in der ganzen Welt suchen die Pfade der Ьberwindung der negativen Effekte, die die weitere Vervollkommnung der Architektur und die GrцЯe der Produktivitдt der Prozessoren behindern hartnдckig.

Eine der perspektivischen Methoden ist mit der Nutzung des sogenannten gespannten Siliziums (Strained Silicon) verbunden. Das Wesen besteht in legirovanii des Siliziums von den kleinen Zusдtzen germanija. Daraufhin nimmt die Entfernung zwischen den Atomen im kristallinischen Gitter des Siliziums zu, das heiЯt wьrde sich das Gitter wie ausbreiten, dass auch die Technologie den angegebenen Titel gegeben hat. Wie sich das Ergebnis solcher legirovanija den Widerstand der Pipe die Quelle-Abfluss dem Strom der Elektronen, der den Strom gewдhrleistet verringert. Und es wird von der Verkleinerung teploobrazovanija begleitet.

AuЯerdem die Einfьhrung der Technologie des Siliziums auf dem Isolator ( ermцglicht silicon on isolator — SOI) die Strцme des AusflieЯens, auf Kosten von der Abteilung der Pipe die Quelle-Abfluss von der Unterlage zu verringern wesentlich.

Das alles lдsst zu, die Frequenz, und, also und die Produktivitдt der Arbeit der integrierten Schaltkreise zu vergrцssern.

Die Grundlage der zukьnftigen Modelle werden sogenannt teragertsevye die Transistoren bilden. In der Aktion Patrik Gelsinger: “Wir halten diesen Transistor fьr die ganz neue grundlegende Architektur. Und wir werden diese Richtung in die Folgenden 10 Jahre weiter” ausdehnen.

Hier muss man erinnern, dass die hohen Arbeitsfrequenzen der modernen integrierten Schaltkreise mit den entsprechenden Charakteristiken der in ihr Bestand eingehenden Elemente gewдhrleistet werden. Die Komplexitдt der inneren Strukturen, die aus den Hundert der Transistoren bestehen berьcksichtigend, sowie muss man ihre Synchronisation die verhдltnismдЯig hochfrequenten Elemente verwenden. Dabei soll ihr Hдufigkeitsumfang wenigstens auf die Ordnung sein ist breiter. Und es bedeutet, dass im Falle der Prozessoren Intel Pentium 4, ALU die arbeiten auf der verdoppelten Taktfrequenz, die Architektur fordert schon heute die Elemente, deren Hдufigkeitspotential die Dutzende bildet, und in irgendwelchen Situationen vielleicht und Hundert gigagerts.

Und das alles betrifft nicht nur der Server, der mдchtigen Workstations, sondern auch der Massentischrechner und sogar der tragbaren Lцsungen.

Ьbrigens den Sektor der mobilen Rechner berьhrt darf man nicht nicht die Prozessoren der ganz neuen Architektur erwдhnen. Es handelt sich um die Prozessoren, deren Grundlage die Architektur des Kernes, der die Benennung Banias bekam bildet. Dieser Prozessor, der Intel Centrino schon genannt ist, besteht ungefдhr aus 77 Mio. Transistoren. Er gewдhrleistet nicht nur die bedeutende GrцЯe der Produktivitдt der mobilen Rechner, sondern auch die erhцhte Uhrzeit ihrer Arbeit von den eingebauten Akkumulatoren. Dabei kцnnen fьr die Errungenschaft bol'shej des Energiesparens, sowie kleiner teplovydelenija die Prozessoren die Frequenz herabsetzen. In Ergдnzung dazu, wenn die Prozessoren nicht verwendet werden, sie kцnnen ins schlafende Regime ьbergehen. Und obwohl die Taktfrequenzen dieser Prozessoren als die mobilen Varianten populдr Intel Pentium 4 mit seinem HyperflieЯband niedriger sein werden , es bedeutet seine kleinere Produktivitдt nicht. AuЯerdem es gibt den Grund, zu meinen, dass die inneren Elemente des Kernes, wie auch ihre Analoga in den vorhergehenden Modellen der Prozessoren werden, werden auf genьgend hohen Frequenzen arbeiten.

Das Tischsystem mit dem experimentalen Muster Banias

Natьrlich, die hohen Frequenzen der zukьnftigen Erzeugnisse werden neu konstruktivov fьr die Prozessoren und die Kцrper der Systemblцcke fordern. Sondern auch die Technologie, nach denen die zukьnftigen hochproduktiven Elemente erzeugt werden werden, fordert die entsprechende Entwicklung. Zu diesem Ziel haben die Fachkrдfte Intel etwas grundlegender Errungenschaften auf dem Gebiet der Lithographie gemacht. Es handelt sich um das Programm EUVL — Extreme Ultraviolet Lithography, verbunden mit der Nutzung der harten ultravioletten Ausstrahlung.

Das Experiment mit der Technologie 90 nm

Die Massenproduktion der integrierten Schaltkreise wird nach dieser Technologie auf die zweite Hдlfte des laufenden Jahrzehntes, aber in Zusammenhang mit dem schnellen Fortschritt auf diesem Gebiet mцglich und frьher geplant. Dabei meint Patrik Gelsinger, dass die vorliegende perspektivische Technologie sogar nach Verlauf 2010 verwendet sein wird.

Die angegebene Technologie wird zulassen, die sehr komplizierten Erzeugnisse mit der groЯen Zahl der Transistoren, die arbeitend auf den sehr hohen Frequenzen und auf den Halbleiterkristallen der minimalen Umfдnge aufgestellt sind auszugeben.

Das Forum der Hersteller hardware- und der Software in San Jose

Doch bewirkt die hohe Dichte der aktiven Elemente, die auf den Siliziumchips aufgestellt werden, das Problem der hohen Dichte der Energie teplovydelenija, schon heute der heissen das Niveau ьbertretenden Platte, und in die nдchsten Jahre wird erreichen und sogar wird das Niveau der Dichte der Energie des Kernreaktoren ьbertreten. Es ist die sehr hohen Niveaus, aber bei den Fachkrдften es unterliegt keinem Zweifel, dass alle Probleme, die im Laufe der Entwicklung der neuen Erzeugnisse entstehen, erfolgreich entschieden sein werden.